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FDD13AN06A0

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDD13AN06A0

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,60V,50A,13mΩ; ?RDS(on) = 11.5m? (典型值) @ VGS = 10V, ID = 50A\n?QG(tot) = 22nC(典型值) @ VGS = 10V\n?低米勒電荷\n?低 Qrr 體二極管\n?UIS 能力(單脈沖和重復(fù)脈沖)\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n;

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 50A, 13mΩ

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDD13AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD13AN06A0_10

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 50A, 13.5m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDD13AN06A0-F085

絲印:FDD13AN06A0;Package:TO-252AA;N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 50A, 13.5m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDP13AN06A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP13AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,62A,13.5mohm

N-ChannelPowerTrench?MOSFET60V,62A,13.5m? Features ?rDS(ON)=11.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=62A ?Qg(tot)=22nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?Mot

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    50

  • PD Max (W):

    115

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    13.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    22

  • Ciss Typ (pF):

    1350

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD13AN06A0供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 20:12:00