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FDC6401N

雙 N 溝道,PowerTrench? MOSFET,2.5V 指定,20V,3.0A,70mΩ

該雙N溝道MOSFET特別為提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的整體效率而設(shè)計,采用同步或傳統(tǒng)開關(guān)脈寬調(diào)制(PWM)控制器。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進行了優(yōu)化。; ?3.0 A, 20 V\n?RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V\n?RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V\n?低柵極電荷 \n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDC6401N

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

GeneralDescription ThisDualN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features ·3.0

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDC6401N

MOSFET

MTW

美臺微

MTW

FMT6401

12VP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

G6401

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

G6401

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    20

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    3

  • PD Max (W):

    0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=95

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=70

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    3.3

  • Ciss Typ (pF):

    324

  • Package Type:

    TSOT-23-6

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更多FDC6401N供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 16:22:00