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FDC6321C數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDC6321C

功能描述

雙 N 和 P 溝道,數(shù)字 FET,25V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-3 14:30:00

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FDC6321C規(guī)格書詳情

描述 Description

這些雙N和P溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術生產。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計,以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏壓電阻,該雙通道數(shù)字FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。

特性 Features

?N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
?P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.
?極低的柵極驅動要求允許3V電路的直接運行。 VGS(th)< 1.0V。
?柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型
?替代多個雙通道NPN & PNP數(shù)字晶體管。

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDC6321C

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±25

  • VGS Max (V)

    :-8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :N: 0.68

  • PD Max (W)

    :0.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :N: 600

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N: 450

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.1

  • Ciss Typ (pF)

    :63

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/FSC/仙童飛兆半
24+
SOT-163SOT-23-6
11430
新進庫存/原裝
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FSC
23+
SOT23-6
480
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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ON/安森美
23+
SOT23-6
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原廠原裝
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13+
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