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FDC2612數據手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDC2612

功能描述

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,200V,1.1A,725mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-2 18:08:00

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FDC2612規(guī)格書詳情

描述 Description

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關進行了優(yōu)化。

特性 Features

?1.1A, 200V
?RDS(on) = 725 mΩ@ VGS = 10 V
?高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)
?高功率和高電流處理能力
?快速開關速度
?低柵極電荷(典型值8nC)

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數

  • 制造商編號

    :FDC2612

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :1.1

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :725

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :234

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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