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FDB8860數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

FDB8860

功能描述

N 溝道,邏輯電平,PowerTrench? MOSFET,30V,80A,2.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 18:25:00

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FDB8860規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

特性 Features

?RDS(ON) = 1.9mΩ(典型值),VGS = 5V,ID = 80A
?Qg(5) = 89nC(典型值),VGS = 5V
?低密勒電荷
?低Qrr體二極管
?UIS能力(單脈沖和重復(fù)脈沖)
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FDB8860

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :254

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :56

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :89

  • Ciss Typ (pF)

    :9460

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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