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FDB20N50F

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，F(xiàn)RFET?，500 V，20 A，260 m?，D2PAK; ?RDS(on) = 220 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 10 A\n?低柵極電荷（典型值 50 nC）\n?低 Crss（典型值 27 pF）\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?提高dv/dt能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D.1\n;

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低導(dǎo)通電阻，并提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 UniFET FRFET?MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)性能通過(guò)壽命控制方式得到加強(qiáng)。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDB20N50F

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDB20N50F

isc N-Channel Mosfet Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP20N50

500VN-ChannelMOSFET

Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP20N50

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP20N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    500

  • VGS Max (V)：

    5

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    20

  • PD Max (W)：

    250

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    260

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    50

  • Ciss Typ (pF)：

    2550

  • Package Type：

    D2PAK-3/TO-263-2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
24+
TO-263
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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ONSemiconductor
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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Fairchild(飛兆/仙童)
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更多FDB20N50F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 13:43:00

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