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首頁(yè)>FDB1D7N10CL7>芯片詳情

FDB1D7N10CL7_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_N-Channel Shielded Gate POWERTRENCH MOSFET標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際

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  • 廠家型號(hào)：

    FDB1D7N10CL7

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    115600

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    18+ROHS

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-29 16:39:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FDB1D7N10CL7品牌：ONSEMI

全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣中!

  • 芯片型號(hào)：

    FDB1D7N10CL7

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    360.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel Shielded Gate POWERTRENCH MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：FDB1D7N10CL7

  • Pb-free

    ：Pb

  • Halide free

    ：H

  • Status

    ：Active

  • Channel Polarity

    ：N-Channel

  • Configuration

    ：Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    ：100

  • VGS Max (V)

    ：±20

  • VGS(th) Max (V)

    ：4

  • ID Max (A)

    ：268

  • PD Max (W)

    ：250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    ：-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    ：-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    ：1.75

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    ：-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    ：116

  • Ciss Typ (pF)

    ：8285

  • Package Type

    ：D2PAK-7/TO-263-7

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    康小姐

  • 手機(jī)：

    13714976628

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    0755-83206150/83258002/83223169

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  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813

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