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FDB0630N1507L

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，150V，130A，6.4mΩ; ? 最大 rDS(on) = 6.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A）\n? 快速開關(guān)速度\n? 低柵極電荷\n? 高性能溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)\n? 高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

此 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低工業(yè)應(yīng)用的導(dǎo)通阻抗并保持卓越的耐用性和開關(guān)性能而定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    150

  • VGS Max (V)：

    20

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    130

  • PD Max (W)：

    300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    6.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    97

  • Ciss Typ (pF)：

    7065

  • Package Type：

    D2PAK-7/TO-263-7

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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訂貨1周 原裝正品
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更多FDB0630N1507L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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