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FDA28N50F

功率 MOSFET,N 溝道,UniFETTM,F(xiàn)RFET?,500 V,28 A,175 mΩ,TO-3P; ?RDS(on) = 140m? (典型值)@ VGS = 10V, ID = 14A\n?低柵極電荷(典型值 80nC) \n?低 Crss(典型值 38pF) \n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?符合 RoHS 標準\n;

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品,基于平面條形和 DMOS 技術。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻,并提供更好的開關性能和更高的雪崩能量強度。 UniFET FRFET? MOSFET 體二極管的反向恢復性能通過壽命控制方式得到加強。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec,而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應用中可消除多余的元件,并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開關電源轉(zhuǎn)換器應用,如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDA28N50F

N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFailchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDA28N50F

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDA28N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=175mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDA28N50F_12

N-Channel MOSFET 500V, 28A, 0.175廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FMH28N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMH28N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives ·RoboticsandServoControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMH28N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMH28N50ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMH28N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

技術參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    500

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    28

  • PD Max (W):

    310

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    175

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    80

  • Ciss Typ (pF):

    3975

  • Package Type:

    TO-3P-3L

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON(安森美)
24+
標準封裝
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全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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ON/安森美全新特價FDA28N50F即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
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公司只做原裝正品,假一賠十
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6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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SOIC
96000
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
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只做原裝只有原裝假一罰百可開增值稅票
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更多FDA28N50F供應商 更新時間2025-7-27 9:38:00