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FDA16N50_F109數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDA16N50_F109

功能描述

N 溝道 UniFETTM MOSFET 500V,16.5A,380 m?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 23:01:00

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FDA16N50_F109規(guī)格書詳情

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品,基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。 該 MOSFET 產(chǎn)品專用于降低通態(tài)電阻,并提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。 該器件系列適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?RDS(on) = 380m? (最大值)@ VGS = 10V, ID = 8.3A
?低柵極電荷(典型值 32nC)
?低 Crss(典型值 20pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDA16N50_F109

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :16.5

  • PD Max (W)

    :205

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :380

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :32

  • Ciss Typ (pF)

    :1495

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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