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FCPF9N60NT數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FCPF9N60NT

功能描述

N 溝道 SupreMOS? MOSFET 600V, 9A, 385mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 10:02:00

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FCPF9N60NT規(guī)格書詳情

描述 Description

SupreMOS? MOSFET 是飛兆半導體的下一代高壓超級結(jié)(SJ)技術,該技術采用區(qū)別于傳統(tǒng) SJ MOSFET 產(chǎn)品的深溝槽填充工藝。這項先進技術和精密的工藝控制提供了最低的 Rsp on-resistance(導通電阻規(guī)格),卓越的開關性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技術適用于高頻開關電源轉(zhuǎn)換器應用,如功率因數(shù)校正(PFC)、服務器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應用。

特性 Features

?RDS(on) = 330m? (典型值)@ VGS = 10V, ID = 4.5A
?超低柵極電荷(典型值Qg = 22nC )
?低有效輸出電容(典型值Coss.eff = 106pF )
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標準

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FCPF9N60NT

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :29.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :385

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :930

  • Package Type

    :TO-220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Fairchild
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