FCPF11N60數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書
FCPF11N60規(guī)格書詳情
描述 Description
SuperFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的第一代高壓超結(jié) (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導通電阻，以及更低門極電荷方面的卓越性能。此技術(shù)專用于最大程度降低導電損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常適用于開關(guān)電源應(yīng)用，如 PFC、服務(wù)器/電信電源、FPD TV 電源、ATX 電源和工業(yè)電源應(yīng)用。
特性 Features
?650V @Tj = 150°C
?典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
?超低柵極電荷（典型值 Qg=40nC)
?低有效輸出電容（典型值 Coss.eff = 95 pF）
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標準
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
FCPF11N60
- 功能描述：
MOSFET 600V 11A N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2016+ |
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6000 |
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