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FCH041N60F中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FCH041N60F
廠商型號(hào)

FCH041N60F

功能描述

600V N-Channel MOSFET, FRFET

文件大小

339.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-5 15:14:00

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FCH041N60F規(guī)格書詳情

描述 Description

SuperFET? II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. SuperFET II FRFET? MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.

特性 Features

? 650 V @ TJ = 150°C

? Typ. RDS(on) = 36 mΩ

? Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 277 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 748 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FCH041N60F

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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