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FCB199N65S3

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? III，Easy Drive，650 V，14 A，199 mΩ，D2PAK; ? 700 V @ TJ = 150 oC\n? Higher system reliability at low temperature operation\n? Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 30 nC)\n? Lower switching loss\n? Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 277 pF)\n? Lower switching loss\n? Optimized Capacitance\n? Lower peak Vds and lower Vgs oscillation\n? Internal Gate resistance: 7.0 ohm\n? Lower peak Vds and lower Vgs oscillation\n? Typ. RDS(on) = 170 m?\n? 100% Avalanche Tested\n? RoHS Compliant\n? Wave soldering guarantee\n;

SuperFET? III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new\nhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing\ncharge balance technology for outstanding low on-resistance\nand lower gate charge performance. This advanced technology\nis tailored to minimize conduction loss, provide superior\nswitching performance, and withstand extreme dv/dt rate.\nConsequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for\nvarious power system for miniaturization and higher efficiency.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCB199N65S3

N-Channel SuperFET III MOSFET

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FCB199N65S3

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    650

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    4.5

  • ID Max (A)：

    14

  • PD Max (W)：

    98

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    199

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    30

  • Ciss Typ (pF)：

    1225

  • Package Type：

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FCB199N65S3供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:39:00

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