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FAN3213T數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠(chǎng)商型號(hào)

FAN3213T

參數(shù)屬性

FAN3213T 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

TTL 輸入,雙反向輸出,峰值 5A 汲電流,5A 源電流,低壓側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠(chǎng)下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-6 21:09:00

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FAN3213T規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

FAN3213 和 FAN3214 系列雙通道 4 A 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)為通過(guò)在短開(kāi)關(guān)間隔內(nèi)提供高峰值電流脈沖,驅(qū)動(dòng)低端開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。都提供 TTL 輸入閾值。內(nèi)部電路可使輸出保持低電平狀態(tài),直到電源電壓進(jìn)入工作范圍,從而提供欠壓閉鎖功能。此外,此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器在 A 和 B 通道之間提供了匹配的內(nèi)部傳播延遲,適用于要求具有嚴(yán)格計(jì)時(shí)的雙柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如同步整流器。這樣可并聯(lián)兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器,從而有效地使驅(qū)動(dòng)單 MOSFET 的電流能力增加一倍。 FAN3213/14 驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置用于最終輸出級(jí)的 MillerDrive? 架構(gòu)。這一雙極 MOSFET 組合可在 MOSFET 導(dǎo)通/關(guān)斷過(guò)程的米勒電場(chǎng)級(jí)期間提供高電流,以最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)提供軌到軌電壓擺幅和反向電流能力。FAN3213 配有兩個(gè)反相驅(qū)動(dòng)器,F(xiàn)AN3214 配有兩個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器。都提供標(biāo)準(zhǔn) 8 引腳 SOIC 封裝。

特性 Features

?業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列
?4.5 到 18 V 工作范圍
?5 A 峰值灌電流/源電流,VDD = 12 V
?4.3 A 灌電流/2.8 A 源電流,VOUT = 6 V
?TTL 輸入閥值
?雙獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)版本:
?雙通道反向(FAN3213)
?雙通道同相 (FAN3214)
?無(wú)輸入時(shí)內(nèi)部電阻關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器
?MillerDrive? 技術(shù)
?帶 2.2 nF 負(fù)載時(shí),典型上升/下降時(shí)間為 12 ns/9 ns
?典型傳播延遲(低于20ns)在1ns內(nèi)與其他通道匹配
?并聯(lián)通道可使電流能力增加一倍
?標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 封裝
?額定環(huán)境溫度為 -40℃ 到 +125℃

應(yīng)用 Application

? AC-DC商用電源-服務(wù)器和工作站

簡(jiǎn)介

FAN3213T屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由制造生產(chǎn)的FAN3213T柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FAN3213T

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Power Switch

    :MOSFET

  • Number of Outputs

    :2

  • Topology

    :Dual

  • Isolation Type

    :Non-Isolated

  • Vin Max (V)

    :-

  • VCC Max (V)

    :18

  • Drive Source/Sink Typ (mA)

    :5

  • Rise Time (ns)

    :12

  • Fall Time (ns)

    :9

  • tp Max (ns)

    :29

  • Package Type

    :SOIC-8

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