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FGP7N60RUFD	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：861.28 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP7N60RUFDTU	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60LSD	文件：791.85 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ALowSaturationIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providesverylowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforLampapplicationswhereverylowOn-VoltageDropisarequiredfeature. Features ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC=7A ?Highinputimp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60RUFD	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60RUFDTU	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FIR7N60AALG	文件：4.14763 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N60ABPG	文件：4.14763 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N60BPG	文件：4.33249 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N60FG	文件：5.2866 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER

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