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F4100R06KL4BOSA1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

F4100R06KL4BOSA1

參數(shù)屬性

F4100R06KL4BOSA1 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 600V 130A 430W

功能描述

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
IGBT MOD 600V 130A 430W

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-18 23:00:00

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F4100R06KL4BOSA1規(guī)格書詳情

簡(jiǎn)介

F4100R06KL4BOSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的F4100R06KL4BOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :F4100R06KL4BOSA1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 配置

    :半橋

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :600V

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :130A

  • 功率 - 最大值

    :430W

  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)

    :2.55V @ 15V,100A

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    :5mA

  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies)

    :4.3nF @ 25V

  • 輸入

    :標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻

    :是

  • 工作溫度

    :-40°C ~ 125°C

  • 安裝類型

    :底座安裝

  • 封裝/外殼

    :模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :模塊

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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