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F3L100R07W2E3_B11中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
F3L100R07W2E3_B11 |
| 功能描述 | EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC |
| 文件大小 |
825.69 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-19 10:20:00 |
| 人工找貨 | F3L100R07W2E3_B11價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
F3L100R07W2E3_B11
- 功能描述：
IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 100A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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