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F3B	文件：224.05 Kbytes Page：7 Pages	型號：TPCF8102；Package：2-3U1A；Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?20V) ?Enhancementmode:Vth=?0.5to?1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
F3B	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	型號：TPCF8102；Package：2-3U1A；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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F3B

文件：224.05 Kbytes

Page：7 Pages

型號：TPCF8102；Package：2-3U1A；Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=14S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?20V) ?Enhancementmode:Vth=?0.5to?1.2V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

F3B

文件：212.29 Kbytes

Page：7 Pages

型號：TPCF8102；Package：2-3U1A；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

F3BF

文件：2.49015 Mbytes

Page：3 Pages

型號：F3BF；Package：SMAF；Surface Mount Fast Recovery Rectifier F3AF Through F3MF

Features Lowproillepackage [dealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunction Highforwardsurgecapability Fastreverserecoverytime MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

RFE

詳細參數(shù)

型號：
F3B
制造商：
TOSHIBA
制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多F3B供應商更新時間2025-7-28 20:12:00

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