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F337R

HCMOS 3.2x2.5mm 3.3V SMD Oscillator

FOX

Fox Electronics

FDN337

N-Channel30V(D-S)MOSFET

Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FDN337N

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription SuperSOTTM-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticular

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN337N

ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1146/ADS1246

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

FDN337N

ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1148/ADS1248

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

FDN337N

N-Channel30V(D-S)MOSFET

Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FDN337N

N-ChannelMOSFET

Features VDS(V)=30V ID=2.2A RDS(ON)=0.065?@VGS=4.5V RDS(ON)=0.082?@VGS=2.5V

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN337N-NL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

FRW337

SAWResonator-RemoteControl

TEMEX

temex

GBC337

NPNSILICONTRANSISTOR

Description TheGBC337isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA ComplementarytoGBC327

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FOX
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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正品原裝貨價(jià)格低
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更多F337R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 17:24:00

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