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F2248中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F2248
廠商型號

F2248

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

文件大小

35.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

POLYFET

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-15 17:41:00

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F2248規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AC

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    F2248

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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