F1207RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
F1207 |
| 參數(shù)屬性 | F1207 封裝/外殼為28-WFQFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN |
| 功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 28-WFQFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
37.99 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
POLYFET |
| 中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 17:45:00 |
| 人工找貨 | F1207價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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20 Watts Push - Pull
Package Style AQ
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
F1207NBGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 頻率：
230MHz ~ 300MHz
- P1dB：
19.4dBm
- 增益：
20dB
- 噪聲系數(shù)：
3.7dB
- 射頻類型：
通用
- 電壓 - 供電：
4.75V ~ 5.25V
- 電流 - 供電：
110mA
- 測(cè)試頻率：
100MHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
28-WFQFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
28-VFQFPN（5x5）
- 描述：
IC AMP GP 230MHZ-300MHZ 28VFQFPN
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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