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HOA1180

InfraredSensorsLineGuide

HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers

霍尼韋爾霍尼韋爾國際有限公司

HOA1180

InfraredSensorsLineGuide

FEATURES REFLECTIVESENSORS HOA1395. Features:Side-lookingplasticpackage ?Phototransistoroutput ?Infraredemitterandphototransistordetectorinasinglepackage ?Lowprofilefordesignflexibility ?Designedforshort-distancedetection ?Enhancedsensitivity?Unfocusedforsensi

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

ICF-1180I

IndustrialPROFIBUS-to-fiberconverters

moxaMOXA

臺(tái)灣摩莎摩莎科技(上海)有限公司

ICF-1180I-M-ST

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IDTF1180NBGI

DualPathHighbandRFReceiver1400MHzto2700MHz

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

ISF1180

N-ChannelMOSFET

FEATURES ·Lowinputcapacitanceandgatecharge ·Lowgateinputresistance APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LA1180

MONOLITHICLINEARICFMFRONTENDFORRADIOCASSETTERECORDERUSE

MONOLITHICLINEARICFMFRONTENDFORRADIOCASSETTERECORDERUSE TheLA1180isanFMfrontendforradio-cassetterecorder,musiccenteruse.Ithasawideoperatingvoltagerangeandprovidesastablehighgain.Theon-chipAFCdiodeminimizesthenumberofexternalpartsrequired. Functions

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    F1180NBGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻混頻器

  • 包裝:

    卷帶(TR)帶

  • 射頻類型:

    通用

  • 頻率:

    1.4GHz ~ 2.7GHz

  • 增益:

    9.2dB

  • 噪聲系數(shù):

    10.5dB

  • 電流 - 供電:

    365mA

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-WFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-VFQFPN(7x7)

  • 描述:

    VFQFPN 7.00X7.00X0.80 MM, 0.50MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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VFQFPN-48(7x7)
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更多F1180NBGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 15:01:00