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F1076中文資料POLYFET數據手冊PDF規(guī)格書

F1076
廠商型號

F1076

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.74 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

POLYFET

中文名稱

Polyfet RF Devices官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-6 14:11:00

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F1076規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

40Watts Push - Pull

Package Style AQ

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產品屬性

  • 型號:

    F1076

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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