F1040中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
F1040 |
功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
文件大小 |
32.63 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
企業(yè)簡稱 |
POLYFET |
中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-31 17:10:00 |
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General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
40Watts Push - Pull
Package Style AD
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
F1040
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱:
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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