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TPCA8109	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPCA8109	文件：238.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
UPC8109T	文件：112.58 Kbytes Page：4 Pages	3V,SILICONMMICFREQUENCYUP-CONVERTER DESCRIPTION TheUPC8106TandUPC8109TareL-BandFrequencyUpConvertersmanufacturedusingtheNESATIIIMMICprocess.TheUPC8106TwasdesignedforlowdistortionwhiletheUPC8109Twasdesignedforlowcurrentconsumption.Operationfroma3voltsupplyvoltagemakesthisdeviceidealforhandh	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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UPC8109TB	文件：79.01 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMIC2.5GHzFREQUENCYUP-CONVERTERFORWIRELESSTRANSCEIVER DESCRIPTION TheμPC8172TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasfrequencyup-converterforwirelesstransceivertransmitterstage.ThisICismanufacturedusingNEC’s30GHzfmax.UHS0(UltraHighSpeedProcess)siliconbipolarprocess. ThisICisassamecircuitcurrentasconv	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC8109TB	文件：419.18 Kbytes Page：34 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Highoutputfrequency:fRFout=0.8to2.5GHz ?High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage ?Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V ?HigherIP3:OIP3=+10dBm@fRFout=1.9GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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