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ESM3045DV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

ESM3045DV
廠商型號

ESM3045DV

參數(shù)屬性

ESM3045DV 封裝/外殼為ISOTOP;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

功能描述

NPN DARLINGTON POWER MODULE
TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

封裝外殼

ISOTOP

文件大小

115.76 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-31 17:06:00

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ESM3045DV規(guī)格書詳情

ESM3045DV屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的ESM3045DV晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE

■ VERY LOW Rth JUNCTION CASE

■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS

■ ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE

■ FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT)

■ EASY TO MOUNT

■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    ESM3045DV

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.4V @ 1.2A,20A

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 20A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    ISOTOP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOTOP?

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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