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ESD851	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	ESD851 36V Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) ?Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI1
ESD851	文件：1.03331 Mbytes Page：18 Pages	ESD851-Q1 36V Automotive Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±27kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?Ultralowleakagecurrent:10nA(maximum) ?ESDclamping	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ESD851	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bidirectional 36V ESD protection diode in SOD323 package ESD851 是一款雙向 ESD 保護(hù)二極管，專為鉗制 ESD 和浪涌等有害瞬變而設(shè)計(jì)。ESD851 的額定 ESD 沖擊消散值高達(dá) ±30kV（接觸放電和空氣間隙放電），這超過了 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別（4 級(jí)）。對(duì)于浪涌，根據(jù) IEC 61000-4-5 標(biāo)準(zhǔn)，該器件可以鉗制峰值電流高達(dá) 6.5A 的 8/20μs 浪涌。\n\n該器件還具有 4.3pF（典型值）IO 電容，因此能夠保護(hù)數(shù)據(jù)線路。低動(dòng)態(tài)電阻和低鉗位電壓支持針對(duì)瞬態(tài)事件提供系統(tǒng)級(jí)保護(hù)。\n\nESD851 采用業(yè)界通用的引線式 SOD-323 封裝，可輕松焊接。; IEC 61000-4-2 ESD 保護(hù)： \n \n±30kV 接觸放電\n \n±30kV 空氣間隙放電\n \n\n \nIEC 61000-4-5 浪涌保護(hù)： \n \n6.5A (8/20μs)\n \n鉗位電壓：6.5A 時(shí)為 71V (8/20μs)\n \n\n \nIO 電容：4.3pF（典型值）\n \n直流擊穿電壓：37.8V（最小值）\n \n超低漏電流：10nA（最大值）\n \nESD 鉗位電壓：16A TLP 時(shí)為 56V\n \n工業(yè)級(jí)溫度范圍：-55°C 至 +150°C\n \n業(yè)界通用 SOD-323 引線式封裝 (2.5mm × 1.2mm);	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ESD851DYFR	文件：1.09645 Mbytes Page：17 Pages	絲印：3H6F；Package：SOT；ESD851 36V Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:37.8V(minimum) ?Ultralowleakagecurrent:	TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI1
ESD851DYFRQ1	文件：1.03331 Mbytes Page：18 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/3h8f/marking.html">3H8F；Package：SOT；ESD851-Q1 36V Automotive Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±27kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?Ultralowleakagecurrent:10nA(maximum) ?ESDclamping	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ESD851-Q1	文件：1.03331 Mbytes Page：18 Pages	ESD851-Q1 36V Automotive Bidirectional ESD Protection Diode in SOD-323 1Features ?ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±27kVcontactdischarge –±30kVairgapdischarge ?IEC61000-4-5surgeprotection: –6.5A(8/20μs) –Clampingvoltage:71Vat6.5A(8/20μs) ?IOCapacitance:4.3pF(typical) ?Ultralowleakagecurrent:10nA(maximum) ?ESDclamping	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
ESD851-Q1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive 36V bidirectional ESD protection device in SOD323 ESD851-Q1 是一款雙向 ESD 保護(hù)二極管，專為鉗制 ESD 和浪涌等有害瞬變而設(shè)計(jì)。ESD851-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值高達(dá) ±30kV（接觸放電和空氣間隙放電），這超過了 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別（4 級(jí)）。對(duì)于浪涌，根據(jù) IEC 61000-4-5 標(biāo)準(zhǔn)，該器件可以鉗制峰值電流高達(dá) 6.5A 的 8/20μs 浪涌。\n\n該器件還具有 4.3pF（典型值）IO 電容，因此能夠保護(hù)數(shù)據(jù)線路。低動(dòng)態(tài)電阻和低鉗位電壓支持針對(duì)瞬態(tài)事件提供系統(tǒng)級(jí)保護(hù)。\n\nESD851-Q1 采用業(yè)界通用的引線式 SOD-323 封裝，可輕松焊接。; ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保護(hù)： \n \n±27kV 接觸放電\n \n±30kV 空氣間隙放電\n \n\n \nIEC 61000-4-5 浪涌保護(hù)： \n \n6.5A (8/20μs)\n \n鉗位電壓：6.5A 時(shí)為 71V (8/20μs)\n \n\n \nIO 電容：4.3pF（典型值）\n \n超低漏電流：10nA（最大值）\n \nESD 鉗位電壓：16A TLP 時(shí)為 56V\n \n工業(yè)溫度范圍：-55°C 至 +150°C\n \n符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n \n業(yè)界通用 SOD-323 引線式封裝 (2.65mm × 1.3mm);	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI

技術(shù)參數(shù)

Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W)：
400
Vrwm (V)：
36
Bi-/uni-directional：
Bi-directional
Number of channels：
1
IO capacitance (typ) (pF)：
4.2
IEC 61000-4-2 contact (±V)：
30000
IEC 61000-4-5 (A)：
6.3
Features：
Surge protection
Clamping voltage (V)：
57
Dynamic resistance (typ)：
0.5
Interface type：
General purpose
Breakdown voltage (min) (V)：
37.8
IO leakage current (max) (nA)：
50
Rating：
Catalog
Operating temperature range (°C)：
-55 to 150
封裝：
SOT (DYF)
引腳：
2
尺寸：
3.445 mm2 2.65 x 1.3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市納立科技有限公司	ESD8551N2T5G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	ESD8551N2T5G	SXSEMI	24+	SOD882	900000	原裝進(jìn)口特價(jià)	詢價(jià)
深圳市歐亞佳電子有限公司	ESD8551N2T5G	ON	20+	SMD	11520	特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市冠億通科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON/安森美	25+		25000	原廠原包深圳現(xiàn)貨主打品牌假一賠百可開票!	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	ESD8551N2T5G	ON Semiconductor	23+	X2DFN-2	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON/安森美	22+	SMD	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	ESD8551N2T5G	ON Semiconductor	18+	X2DFN-2	48	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON	23+	原廠原封	8000	訂貨1周原裝正品	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON Semiconductor	23+	X2DFN-2	48	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	ESD8551N2T5G	ON	24+	2-XDFN	39500	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單價(jià)優(yōu)	詢價(jià)

更多ESD851供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-31 15:08:00

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