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ENP1208DR數(shù)據(jù)手冊E-CMOS中文資料規(guī)格書

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廠商型號

ENP1208DR

功能描述

MOSFET

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名稱

飛虹高科 飛虹高科股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 10:50:00

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技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :ENP1208DR

  • 生產(chǎn)廠家

    :E-CMOS

  • ProductStatus

    :Released

  • MOSFET Type

    :P

  • VDS(V)

    :-12

  • VGS(±V)

    :8

  • ESDHBM(KV)

    :/

  • Vgs(th)Min(V)

    :-0.4

  • Vgs(th)Typ(V)

    :-0.68

  • Vgs(th)Max(V)

    :-1.2

  • Rdson @10V Typ(mΩ)

    :—

  • Rdson @10V Max(mΩ)

    :—

  • Rdson @4.5V Typ(mΩ)

    :28

  • Rdson @4.5V Max(mΩ)

    :35

  • Rdson @2.5V Typ(mΩ)

    :34

  • Rdson @2.5V Max(mΩ)

    :45

  • Configuration

    :Single

  • Package

    :DFN2*2-6L-B

  • ID(A)

    :-8

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