ENA1165中文資料三洋數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
ENA1165 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications |
| 文件大小 |
59.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SANYO Sanyo Semicon Device |
| 中文名稱 | 三洋 三洋電機(jī)株式會(huì)社 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 11:23:00 |
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ENA1165規(guī)格書詳情
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
特性 Features
? Adoption of FBET, MBIT process.
? High current capacitance.
? Low collector-to-emitter saturation voltage.
? High-speed switching.
? High allowable power dissipation.
Applications
? DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
ENA1165
- 制造商：
SANYO
- 制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
- 功能描述：
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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