描述 Description

EN8F629 是低成本、高性能、8 位、全靜態(tài)flash 的CMOS 單片機。采用精簡指令 架構，僅有37 條單字/ 單周期指令。除程序跳轉指令為兩個周期外的所有其他指令都是單周期的。EN8F629 器件的性能比同價位的同類產品要高出很多。易于使用且便于記憶的指令集大大縮短了開發(fā)時間。

特性 Features

高性能 CPU：
? 采用精簡指令 架構，僅有37 條單指令
（除程序跳轉指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉指令是雙周期指令）
? 8 級深的硬件堆棧
? 14 位寬指令集, 8 位寬的數據路徑
? 可擦寫flash 芯片，片內閃存（ROM）為1K 字，數據存儲容量（RAM）為64 字節(jié)
? EEPROM 大小為128bit
? 數據和指令的直接、間接和相對尋址模式
? GP0~5 都可睡眠喚醒，且可通過軟件獨立設置內部上拉
? 工作電壓2.0V~5.5V
? 有可選電源低壓檢測，欠壓復位功能（PED），三級欠壓復位
? 有中斷功能
? 定時器0：帶3Bit 預分頻器8Bit 定時器
? 定時器1：帶2Bit 預分頻器16Bit 定時器
? 1 個模擬比較器模塊
? 自振式看門狗定時器
? 6 個可獨立直接控制I/O 口
? 工作速度：內部4M/8M 振蕩器
單片機的特性：
? 上電復位（Power-on Reset,POR）
? 低電壓檢測(LVD)和欠壓復位(BOR)
? 上電復位（Power-on Reset,POR）
? 具有專用片內RC 振蕩器的看門狗定時器（WDT），能夠可靠地工作
? 代碼保護功能
? 獨立的可編程若上拉功能
? 節(jié)省功耗的休眠模式
? 可選的振蕩器選項：
- IRC：4 或8MHz 內部振蕩器
- RC：廉價RC 震蕩器
- LFXT：低頻晶體振蕩器
- XTAL：標準晶體振蕩器
? 高耐久性的閃存/EEPROM 存儲單元
-閃存耐寫次數達到100,000 次
-EEPROM 耐寫次數達到1,000,000 次
-閃存/數據EEPROM 的數據保存期>40 年
低功耗特性CMOS 技術：
? 工作電流：
- 在2V、4MHz 時< 170 uA
? 待機電流：
- 2V 時典型值為1nA
? 看門狗定時器電流：
- 當電壓為2.0V 時，典型值為300nA
? TIMER1 振蕩器電流：
- 當頻率為32khz，電壓為2.0v 時，典型值為4uA
? 全靜態(tài)設計
? 寬工作電壓范圍：2.0V 到5.5V
外設功能：
? 6 個I/O 引腳：
- 5 個具有獨立方向控制的I/O 引腳
- 1 個僅輸入的引腳
- 高灌/ 拉電流可直接驅動LED
? 模擬比較器模塊帶有：
- 一個模擬比較器
- 片上可編程比較器參考電壓（CVREF）模塊
- 來自器件輸入引腳的可編程輸入復用
- 可外部訪問比較器輸出
? 具有8 位可編程預分頻器的8 位實時時鐘/計數器：（TMR0）
? 增強的Timer1：
- 帶有預分頻器的16 位定時器/ 計數器
- 外部選通輸入模式
- 如果已選用INTOSC 模式的話，那么在LP 模式中可選擇OSC1 和OSC2 作為Timer的振蕩器