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首頁(yè)>EMT1DXV6T5G>芯片詳情
EMT1DXV6T5G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual PNP??齐娮?/h1>
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):EMT1DXV6T5G品牌:onsemi
只做原裝,優(yōu)勢(shì)渠道 ,歡迎實(shí)單聯(lián)系
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
EMT1DXV6T5G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
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原廠料號(hào):EMT1DXV6T5G品牌:onsemi
只做原裝,優(yōu)勢(shì)渠道 ,歡迎實(shí)單聯(lián)系
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
EMT1DXV6T5G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
廣州市??齐娮涌萍加邢薰?/p>
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
曾小姐
- 手機(jī):
15975398125
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
020-86868513
- 傳真:
020-86868513
- 地址:
廣州市花都區(qū)秀全街花港大道87號(hào)5棟306房
相近型號(hào)
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