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EMB1412MYE/NOPB集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
EMB1412MYE/NOPB |
| 參數(shù)屬性 | EMB1412MYE/NOPB 封裝/外殼為8-PowerTSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP |
| 功能描述 | EMB1412 MOSFET Gate Driver |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | HVSSOP / 8-PowerTSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） |
| 文件大小 |
370.45 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
17 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | TI2 |
| 中文名稱(chēng) | 德州儀器 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 23:00:00 |
| 人工找貨 | EMB1412MYE/NOPB價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多EMB1412MYE/NOPB規(guī)格書(shū)詳情
EMB1412MYE/NOPB屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由美國(guó)德州儀器公司制造生產(chǎn)的EMB1412MYE/NOPB柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
1 Features
1? Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
Output Current Variation
? 7 A Sink/3 A Source Current
? Fast Propagation Times (25 ns Typical)
? Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall
with 2 nF Load)
? Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either
Configuration with a Single Device
? Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
? Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split Supply
or Single Supply Operation
? Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
? Output Swings from VCC to VEE Which can be
Negative Relative to Input Ground
2 Applications
? Li-Ion Battery Management Systems
? Hybrid and Electric Vehicles
? Grid Storage
? 48 V Systems Supply
? UPS
3 Description
The EMB1412 MOSFET gate driver provides high
peak gate drive current in 8-lead exposed-pad
VSSOP package, with improved power dissipation
required for high frequency operation. The compound
output driver stage includes MOS and bipolar
transistors operating in parallel that together sink
more than 7-A peak from capacitive loads. Combining
the unique characteristics of MOS and bipolar
devices reduces drive current variation with voltage
and temperature. Under-voltage lockout protection is
provided to prevent damage to the MOSFET due to
insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412
provides both inverting and non-inverting inputs to
satisfy requirements for inverting and non-inverting
gate drive with a single device type.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
EMB1412MYE/NOPB
- 制造商：
Texas Instruments
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置：
低端
- 通道類(lèi)型：
單路
- 柵極類(lèi)型：
IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
3.5V ~ 14V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.3V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
3A，7A
- 輸入類(lèi)型：
反相，非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
14ns，12ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-PowerTSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-HVSSOP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州儀器) |
24+ |
MSOP-8 |
1083 |
深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
24+ |
VSSOP8 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
2024+ |
MSOP-8 |
500000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢(xún)價(jià) | ||
Texas |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票! |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
23+ |
8-MSOP |
3695 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
22+ |
8MSOPPowerPad |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
HVSSOP-8 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
HVSSOP-8 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
SOT-23- |
6000 |
美國(guó)德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn) |
詢(xún)價(jià) |
