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IPU04N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

PackageMarking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU04N03LBG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PJ04N03D

25VN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=4m? ?RDS(ON),VGS@5.0V,IDS@24A=6m? ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?Incompliance

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

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更多EMB04N03A供應(yīng)商 更新時間2025-7-21 15:02:00

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