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EGS1125FFG	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	Moulded Case Circuit Breakers 16-2500 Amperes for IEC 60947-2 Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司	EATON
ENA1125	文件：69.03 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifier,DifferentialAmplifierApplications High-FrequencyLow-NoiseAmplifier,DifferentialAmplifierApplications Features ?Compositetypewith2transistorscontainedintheMCPpackagecurrentlyinuse,improvingthemountingefficiencygreatly. ?TheFH102Aisformedwithtwochips,beingequivalenttothe2SC5226A,placedinonep	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
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ISF1125	文件：304.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCcoverters ·ACandDCmotorcontrol ·Batterychargers ·Uninterruptedpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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