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EG3113

高壓600V2A半橋驅(qū)動(dòng)芯片

EG3113 是一款高性價(jià)比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專(zhuān)用于無(wú)刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。其高端工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 2.8V - 20V，靜態(tài)功耗小于 5uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，LIN 內(nèi)建了上拉 5V 高電位，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 和 DFN8 封裝。; ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n\n\n\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n\n\n\n? 最高頻率支持 500KHZ\n\n\n\n? 低端 VCC 電壓范圍 2.8V - 20V\n\n\n\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n\n\n\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n\n\n\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n\n\n\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n\n\n\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n\n\n\n? 外圍器件少\n\n\n\n? 靜態(tài)電流小于 5uA，非常適合電池場(chǎng)合\n\;

EG3113

HIgh-Power MOS tube driver chip

EG3113D

高壓600V2A半橋驅(qū)動(dòng)芯片

EG3113D 是一款高性價(jià)比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專(zhuān)用于無(wú)刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 8V - 20V，靜態(tài)電流約 300uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，LIN 內(nèi)建了上拉 5V 高電位，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封裝。; ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n\n\n\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n\n\n\n? 最高頻率支持 500KHZ\n\n\n\n? 低端 VCC 電壓范圍 8V - 20V\n\n\n\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n\n\n\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n\n\n\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n\n\n\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n\n\n\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n\n\n\n? 外圍器件少\n\n\n\n? 封裝形式：SOP - 8\n\n\n\n? 無(wú);

FJV3113R

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features ?100mAOutputCurrentCapability ?Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application ?Switching,Interface,and

FJV3113R

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features ?100mAOutputCurrentCapability ?Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application ?Switching,Interface,and

FJV3113RMTF

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features ?100mAOutputCurrentCapability ?Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application ?Switching,Interface,and