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EFC2J004NUZ數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF

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廠商型號

EFC2J004NUZ

參數(shù)屬性

EFC2J004NUZ 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 14 A, 7.1 mΩ
MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-4 23:01:00

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EFC2J004NUZ規(guī)格書詳情

描述 Description

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.

特性 Features

? Low on resistance
? Improves efficiency by reducing conduction losses.
? Low gate charge
? Ease of drive, faster turn-on
? WLCSP
? Minimalized mount area
? 2.5 V drive
? 2 kV ESD HBM
? Common-Drain Type
? ESD Diode-Protected Gate
? RoHS compliance

應(yīng)用 Application

? 1-Cell Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch
? 充電寶
? Wearable Device

簡介

EFC2J004NUZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由制造生產(chǎn)的EFC2J004NUZ晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :EFC2J004NUZ

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.3

  • ID Max (A)

    :15

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :11

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :WLCSP-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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