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HO-P-4105

CurrentTransducer

LEMlem

萊姆萊姆集團(tuán)

IIRFR4105

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIRFR4105Z

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFL4105

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=3.7A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFL4105

UltraLowOn-Resistance

Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFL4105

60VN-ChannelIRFL4105

GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementThisvery highdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistanceandprovide superior switchingperformance,andwithstandhigh energypulse intheavalancheandcommutation modes. Thesedevicesareparticula

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFL4105PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFL4105PBF

AdvancedProcessTechnology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL4105PBF

HEXFET?PowerMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFL4105PBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ECW-F4105JB

  • 制造商：

    Panasonic Electronic Components

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    ECW-F(B)

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±5%

  • 額定電壓 - AC：

    200V

  • 額定電壓 - DC：

    400V

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -25°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    1.102" 長 x 0.591" 寬（28.00mm x 15.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.925"（23.50mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    0.984"（25.00mm）

  • 應(yīng)用：

    高頻率，開關(guān)

  • 描述：

    CAP FILM 1UF 5% 400VDC RADIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多ECW-F4105JB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:06:00

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