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ECH8602M-TL-H

N-Channel Power MOSFET

Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?Protectiondiodein ?BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch ?Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

ECH8602M-TL-H

N-Channel Power MOSFET;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

EXE8602

71??86GHzPowerDetector

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

EXE8602-DNT

71??86GHzPowerDetector

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

EXP8602

81GHz??86GHzMediumPowerAmplifier

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

EXP8602-DNT

81GHz??86GHzMediumPowerAmplifier

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

F8602

SAWBandpassFilter

ITF

Integrated Technology Future

FDC8602

DualN-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,1.2A,350m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

ICS8602

ZERODELAY,DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL

ICST

Integrated Circuit Systems

ICS8602BT

ZERODELAY,DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS/LVTTL

ICST

Integrated Circuit Systems

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    ECH8602M-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 6A ECH8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
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更多ECH8602M-TL-H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:10:00