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EC4H08C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

EC4H08C
廠商型號

EC4H08C

參數(shù)屬性

EC4H08C 封裝/外殼為4-UFDFN;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

封裝外殼

4-UFDFN

文件大小

45.46 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

SANYO Sanyo Semicon Device

中文名稱

三洋 三洋電機株式會社

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 10:45:00

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EC4H08C規(guī)格書詳情

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

特性 Features

? High cut-off frequency : fT=24GHz typ (VCE=3V).

? Low operating voltage.

? High gain : ?S21e?2=17dB typ (f=2GHz).

? Halogen free compliance (UL94 HB).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    EC4H08C-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    24GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 最大值:

    50mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    15mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-UFDFN

  • 供應商器件封裝:

    4-ECSP1008

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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