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INA2132UA	文件：839.91 Kbytes Page：17 Pages	Dual,LowPower,Single-SupplyDIFFERENCEAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
INA2132UA	文件：502.45 Kbytes Page：19 Pages	Dual,LowPower,Single-SupplyDIFFERENCEAMPLIFIER FEATURES DESIGNEDFORLOWCOST LOWQUIESCENTCURRENT: 160mAperAmplifier WIDEPOWERSUPPLYRANGE: SingleSupply:2.7Vto36V DualSupplies:±1.35Vto±18V LOWGAINERROR:±0.05%max LOWNONLINEARITY:0.001%max HIGHCMRR:90dB HIGHLYVERSATILECIRCUIT EASYTOUSE SO-14PACKAGE	TI2Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI2
INA2132UA.A	文件：502.45 Kbytes Page：19 Pages	Dual,LowPower,Single-SupplyDIFFERENCEAMPLIFIER FEATURES DESIGNEDFORLOWCOST LOWQUIESCENTCURRENT: 160mAperAmplifier WIDEPOWERSUPPLYRANGE: SingleSupply:2.7Vto36V DualSupplies:±1.35Vto±18V LOWGAINERROR:±0.05%max LOWNONLINEARITY:0.001%max HIGHCMRR:90dB HIGHLYVERSATILECIRCUIT EASYTOUSE SO-14PACKAGE	TI2Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI2
IR2132	文件：643.18 Kbytes Page：21 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIR2130/IR2132(J)(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,down	IRF International Rectifier	IRF
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IR2132	文件：306.27 Kbytes Page：26 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIR2130/IR2132(J)(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,down	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IR2132J	文件：306.27 Kbytes Page：26 Pages	3-PHASEBRIDGEDRIVER Description TheIR2130/IR2132(J)(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithCMOSorLSTTLoutputs,down	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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