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E4D20120G數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

E4D20120G

參數(shù)屬性

E4D20120G 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING

功能描述

1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

制造商

Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC.

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-8 23:00:00

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E4D20120G規(guī)格書詳情

簡介

E4D20120G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由制造生產(chǎn)的E4D20120G二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :E4D20120G

  • 生產(chǎn)廠家

    :Wolfspeed(CREE)

  • Blocking Voltage

    :1200 V

  • Current Rating

    :20 A

  • Generation

    :Gen 4

  • Forward Voltage (VF (typ))

    :1.5 V

  • Maximum Continuous Current (IF)

    :20 A

  • Total Capacitive Charge (QC (typ))

    :110 nC

  • Total Power Dissipation (PTOT)

    :250 W

  • Package

    :TO-263-2

  • Qualification

    :Automotive

  • Recommended for New Design?

    :Yes

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