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DZT5551Q分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

DZT5551Q
廠商型號

DZT5551Q

參數(shù)屬性

DZT5551Q 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

功能描述

160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

492.12 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商

DIODES

中文名稱

美臺半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-17 23:01:00

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DZT5551Q規(guī)格書詳情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

? BVCEO > 160V

? BVEBO > 6V

? IC = 600mA Continuous Collector Current

? Low Saturation Voltage (150mV max @10mA)

? hFE specified up to 50mA for a high gain hold up

? Complementary PNP Type: DZT5401

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP Capable (Note 4)

Applications

? High Voltage Amplification Applications

? High Voltage Switching

產品屬性

  • 產品編號:

    DZT5551Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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