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DXTP07060BFG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
DXTP07060BFG |
參數(shù)屬性 | DXTP07060BFG 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 |
功能描述 | 60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 |
封裝外殼 | 8-PowerVDFN |
文件大小 |
814.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Diodes Incorporated |
企業(yè)簡稱 |
DIODES【美臺半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 美臺半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-3 23:22:00 |
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DXTP07060BFG規(guī)格書詳情
特性 Features
BVCEO > -60V
Small Form Factor Thermally Efficient Package.
Enables Higher Density End Products
IC = -3A High Continuous Current
ICM = -6A Peak Pulse Current
Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -250mV @ -1A
Complementary NPN Type: DXTN07060BFG
Rated to +175°C – Ideal For High Temperature Environment
Wettable Flank For Improved Optical Inspection
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
High Side Switch
MOSFET or IGBT Gate Driver
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
DXTP07060BFGQ-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 300mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
20nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
140MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
- 封裝/外殼:
8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerDI3333-8(SWP)UX 類
- 描述:
PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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