DXT5551P5分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
DXT5551P5 |
| 參數(shù)屬性 | DXT5551P5 封裝/外殼為PowerDI? 5；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 |
| 功能描述 | 160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI?5 |
| 封裝外殼 | PowerDI? 5 |
| 文件大小 |
135.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | DIODES |
| 中文名稱 | 美臺半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | DXT5551P5價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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DXT5551P5規(guī)格書詳情
Features and Benefits
? 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252
? Maximum height just 1.1mm
? Rated up to 2.25W
? BVCEO > 160V
? IC(cont) = 0.6A
? Lead Free, RoHS Compliant (Note 1)
? Halogen and Antimony Free, “Green” Device (Note 2)
? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
? Telecom line driver
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
DXT5551P5Q-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
130MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
PowerDI? 5
- 供應商器件封裝：
PowerDI? 5
- 描述：
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美臺) |
24+ |
PowerDI5 |
7350 |
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