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DTD113Z分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTD113Z
廠商型號

DTD113Z
參數(shù)屬性

DTD113Z 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
功能描述

DIGITAL TRANSISTOR
絲印標識

G21
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

704.49 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM【羅姆】

中文名稱

羅姆半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
ROHM
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-8-1 15:12:00
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DTD113Z規(guī)格書詳情

特性 Features

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary NPN Types: DTC114E series

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DTD113ZCT116

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 2.5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SST3

  • 描述：

    NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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