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DTC363TK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTC363TK
廠商型號

DTC363TK

參數(shù)屬性

DTC363TK 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

功能描述

Digital transistors (built-in resistor)

絲印標(biāo)識(shí)

T146

封裝外殼

SMT3 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

60.34 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:01:00

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DTC363TK規(guī)格書詳情

特性 Features

In addition to the features of regular digital transistors,

1) Low VCE(sat) makes these transistors optimal for muting circuits. VCE(sat) = 40mV (Typ.) (IC/IB = 50mA/2.5mA)

2) They can be used at high current (IC = 600mA).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTC363TKT146

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    80mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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