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DTB123YS	文件：65.56 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 2)Thebiasresistorsconsistofthinfilmresistorswithcompleteisolationtoallowpositivebiasingoftheinput.Theyalsohavetheadvanta	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YS	文件：77.38 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) Features 1)Built-InBiasingResistors 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallownegativebiasingoftheinput.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：77.38 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) Features 1)Built-InBiasingResistors 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallownegativebiasingoftheinput.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：143.79 Kbytes Page：3 Pages	500mA/50VDigitaltransistors(withbuilt-inresistor)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	PNP-500mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) Features 1)Built-InBiasingResistors 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallownegativebiasingoftheinput.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	PNP-500mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) Features 1)Built-InBiasingResistors 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallownegativebiasingoftheinput.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：862.04 Kbytes Page：9 Pages	500mA/-50VDigitaltransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB123YU	文件：411.33 Kbytes Page：7 Pages	PNP-500mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) Features 1)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 2)Thebiasresistorsconsistofthinfilmresistorswithcompleteisolationtoallowpositivebiasingoftheinput.Theyalsohavetheadvanta	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC123	文件：289.2 Kbytes Page：16 Pages	BiasResistorTransistor BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	FS First Silicon Co., Ltd	FS
DTC123E	文件：151.43 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolit	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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技術參數(shù)

封裝：
SMT3
包裝數(shù)量：
3000
最小獨立包裝數(shù)量：
3000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-346
JEITA Package：
SC-59
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-40
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.5
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-40
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.5
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
100 to 600
Output Current [A]：
0.5
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.3)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多DTB123TK供應商更新時間2025-7-25 16:13:00

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