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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFD9110	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-0.70A) HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9110	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9110	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?Fastswitching ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
DSS9110Y
制造商：
DIODES
制造商全稱：
Diodes Incorporated
功能描述：
100V LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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更多DSS9110Y供應(yīng)商更新時間2025-7-19 12:00:00

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