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DSK10C-BT中文資料DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號

DSK10C-BT

參數(shù)屬性

DSK10C-BT 封裝/外殼為R-1,軸向;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

功能描述

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

封裝外殼

R-1,軸向

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-8 14:42:00

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DSK10C-BT規(guī)格書詳情

簡介

DSK10C-BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由制造生產(chǎn)的DSK10C-BT二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :DSK10C-BT

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)

    :200V

  • 電流 - 平均整流(Io)

    :1A

  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf

    :1.1V @ 1A

  • 速度

    :標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流

    :10μA @ 200V

  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容

    :-

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :R-1(軸向)

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :-

  • 工作溫度 - 結(jié)

    :150°C(最大)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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